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2SC2527

更新时间: 2024-02-23 08:35:54
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富士通 - FUJITSU 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 198K
描述
SILICON HIGH SPEED POWER TRANSISTOR

2SC2527 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.76其他特性:RING EMITTER TRANSISTOR
最大集电极电流 (IC):10 A基于收集器的最大容量:300 pF
集电极-发射极最大电压:120 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:60 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):80 MHz
VCEsat-Max:1.8 VBase Number Matches:1

2SC2527 数据手册

  

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