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2SJ476-01L

更新时间: 2024-02-28 20:14:29
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
12页 350K
描述
Power MOSFET

2SJ476-01L 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.83
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):25 A
最大漏源导通电阻:0.11 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:P-CHANNEL
功耗环境最大值:50 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):430 ns最大开启时间(吨):145 ns
Base Number Matches:1

2SJ476-01L 数据手册

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