生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X3 |
针数: | 7 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.82 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 30 A | 集电极-发射极最大电压: | 600 V |
配置: | COMPLEX | 最小直流电流增益 (hFE): | 100 |
最大降落时间(tf): | 4000 ns | JESD-30 代码: | R-XUFM-X3 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | NPN |
功耗环境最大值: | 250 W | 最大功率耗散 (Abs): | 250 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大上升时间(tr): | 3000 ns |
子类别: | BIP General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 16000 ns | 最大开启时间(吨): | 3000 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2DI30D100 | ETC | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 30A I(C) |
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2DI30M-050 | ETC | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 30A I(C) |
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2DI30MA050 | FUJI | Transistor |
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2DI30Z-100 | FUJI | POWER TRANSISTOR MODULE |
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2DI30Z-120 | FUJI | POWER TRANSISTOR MODULE |
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2DI50A120 | ETC | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 50A I(C) |
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