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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X3 |
| 针数： | 7 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.81 | 最大集电极电流 (IC)： | 150 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | COMPLEX |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | 最大降落时间（tf）： | 4000 ns |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X3 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 690 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 690 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大上升时间（tr）： | 3000 ns | 子类别： | BIP General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 16000 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 3000 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2DI150D100 | ETC | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 150A I(C) |
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| 2DI150D-100 | FUJI | Power Bipolar Transistor, 150A I(C), 1000V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epox |
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| 2DI150M-050 | FUJI | POWER TRANSISTER MODULE |
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| 2DI150M-120 | ETC |
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| 2DI150MA-050 | FUJI | POWER TRANSISTOR MODULE |
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| 2DI150Z-100 | FUJI | POWER TRANSISTOR MODULE |
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