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1DI400MP-120

更新时间: 2024-02-14 13:47:58
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富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 173K
描述
POWER TRANSISTOR MODULE

1DI400MP-120 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):400 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:DARLINGTON, 4 TRANSISTORS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):2000JESD-30 代码:R-PUFM-X5
元件数量:1端子数量:5
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:3000 W最大功率耗散 (Abs):3000 W
认证状态:Not Qualified子类别:BIP General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):18000 ns最大开启时间(吨):3000 ns
Base Number Matches:1

1DI400MP-120 数据手册

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