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2518065007Y6

更新时间： 2024-02-19 10:50:44

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管
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描述
RF Power LDMOS Transistors

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2518065007Y6 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT, EIA STD PACKAGE SIZE 1806, 2 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8504.50.80.00	风险等级：	1.72
其他特性：	STANDARD SIGNAL SPEED	外壳代码：	1806
构造：	Chip Bead	最大直流电阻：	0.01 Ω
滤波器类型：	FERRITE CHIP	最大频率：	1000 MHz
最小频率：	100 MHz	高度：	1.6 mm
JESD-609代码：	e2	长度：	4.5 mm
材料：	Ferrite	安装类型：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	输出阻抗：	50 OHM Ω
包装方法：	TAPE AND REEL	物理尺寸：	L4.5XB1.6XH1.6 (mm)/L0.177XB0.063XH0.063 (inch)
额定电流：	6 A	子类别：	Other Filters
端子面层：	Tin/Nickel/Silver (Sn/Ni/Ag)	宽度：	1.6 mm
Base Number Matches：	1

2518065007Y6 数据手册

Document Number: AFT05MS031N

Rev. 0, 6/2012

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power LDMOS Transistors

High Ruggedness N--Channel

AFT05MS031NR1

AFT05MS031GNR1

Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

Designed for mobile two--way radio applications with frequencies from

136 to 520 MHz. The high gain, ruggedness and broadband performance of

these devices make them ideal for large--signal, common source amplifier

applications in mobile radio equipment.

136--520 MHz, 31 W, 13.6 V

WIDEBAND

RF POWER LDMOS TRANSISTORS

Typical Performance: (13.6 Vdc, T = 25°C, CW)

Frequency

(MHz)

P1dB

(W)

(dB)

18.3

17.7

(%)

64.1

62.0

71.4

(1,3)

380--450

(2,3)

450--520

(4)

520

T O -- 2 7 0 -- 2

PLASTIC

Load Mismatch/Ruggedness

AFT05MS031NR1

Signal

Type

Frequency

(MHz)

(W)

Test

Voltage

out

VSWR

Result

(4)

520

>65:1 at all

No Device

Phase Angles

(3 dB Overdrive)

Degradation

1. Measured in 380--450 MHz UHF wideband reference circuit.

2. Measured in 450--520 MHz UHF wideband reference circuit.

3. The values shown are the minimum measured performance numbers across the

indicated frequency range.

T O -- 2 7 0 -- 2 G U L L

PLASTIC

AFT05MS031GNR1

4. Measured in 520 MHz narrowband test circuit.

Features

•

Characterized for Operation from 136 to 520 MHz

Unmatched Input and Output Allowing Wide Frequency Range Utilization

Integrated ESD Protection

Integrated Stability Enhancements

Wideband — Full Power Across the Band:

− 136--174 MHz

Gate

Drain

− 380--450 MHz

− 450--520 MHz

•

225°C Capable Plastic Package

Exceptional Thermal Performance

High Linearity for: TETRA, SSB, LTE

Cost--effective Over--molded Plastic Packaging

In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units, 24 mm Tape Width, 13 inch Reel.

(Top View)

Note: The backside of the package is the

source terminal for the transistor.

Figure 1. Pin Connections

Typical Applications

•

Output Stage VHF Band Mobile Radio

Output Stage UHF Band Mobile Radio

AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1

RF Device Data

Freescale Semiconductor, Inc.

12 3 4 5 6 7...27

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