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1812SMS-82NJLC

更新时间： 2024-02-08 16:29:22

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频
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11页	748K
描述
RF Power Field Effect Transistor

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1812SMS-82NJLC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	1925
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8504.50.80.00	风险等级：	5.7
大小写代码：	1925	构造：	Flat Top
型芯材料：	AIR	直流电阻：	0.0094 Ω
标称电感 (L)：	0.082 µH	电感器应用：	RF INDUCTOR
电感器类型：	GENERAL PURPOSE INDUCTOR	JESD-609代码：	e1
功能数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	140 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装高度：	4.2 mm	封装长度：	4.95 mm
封装形式：	SMT	封装宽度：	6.35 mm
包装方法：	TR, 13 Inch	最小质量因数（标称电感时）：	100
自谐振频率：	0.0013 MHz	形状/尺寸说明：	RECTANGULAR PACKAGE
屏蔽：	NO	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)	端子位置：	DUAL ENDED
端子形状：	FLAT	测试频率：	150 MHz
容差：	5%	Base Number Matches：	1

1812SMS-82NJLC 数据手册

Document Number: MRF6VP11KH

Rev. 7, 4/2010

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistor

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

Designed primarily for pulsed wideband applications with frequencies up to

150 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in industrial, medical

and scientific applications.

MRF6VP11KHR6

•

Typical Pulsed Performance at 130 MHz: V_DD= 50 Volts, I_DQ= 150 mA,

_out= 1000 Watts Peak (200 W Avg.), Pulse Width = 100 μsec,

1.8--150 MHz, 1000 W, 50 V

LATERAL N--CHANNEL

BROADBAND

Duty Cycle = 20%

Power Gain — 26 dB

Drain Efficiency — 71%

RF POWER MOSFET

•

Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 50 Vdc, 130 MHz, 1000 Watts Peak

Power

Features

•

Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters

CW Operation Capability with Adequate Cooling

Qualified Up to a Maximum of 50 V_DDOperation

Integrated ESD Protection

Designed for Push--Pull Operation

Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C

Operation

CASE 375D--05, STYLE 1

NI--1230

•

RoHS Compliant

In Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

PART IS PUSH--PULL

RF /V

outA DSA

inA GSA

RF /V

inB GSB

RF /V

outB DSB

(Top View)

Figure 1. Pin Connections

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

--0.5, +110

--6.0, +10

-- 65 to +150

150

Unit

Drain--Source Voltage

Vdc

°C

DSS

Gate--Source Voltage

Storage Temperature Range

Case Operating Temperature

Operating Junction Temperature

stg

°C

(1,2)

225

°C

Table 2. Thermal Characteristics

(2,3)

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

°C/W

Case Temperature 80°C, 1000 W Pulsed, 100 μsec Pulse Width, 20% Duty Cycle

Case Temperature 67°C, 1000 W CW, 100 MHz

0.03

0.13

1. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.

2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF

calculators by product.

3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.

Select Documentation/Application Notes -- AN1955.

MRF6VP11KHR6

RF Device Data

Freescale Semiconductor

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与1812SMS-82NJLC相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1812SMS-82NJLD	COILCRAFT	General Purpose Inductor, 0.082uH, 5%, 1 Element, Air-Core, SMD, 1925, ROHS COMPLIANT	获取价格
1812SMS-82NJSB	COILCRAFT	General Purpose Inductor, 0.082uH, 5%, 1 Element, Air-Core, SMD, 1925,	获取价格
1812SMS-82NJSC	COILCRAFT	General Purpose Inductor, 0.082uH, 5%, 1 Element, Air-Core, SMD, 1925,	获取价格
1812SMS-82NJTB	COILCRAFT	General Purpose Inductor, 0.082uH, 5%, 1 Element, Air-Core, SMD, 1925, ROHS COMPLIANT	获取价格
1812SMS-82NJTD	COILCRAFT	General Purpose Inductor, 0.082uH, 5%, 1 Element, Air-Core, SMD, 1925, ROHS COMPLIANT	获取价格
1812SMS-82N-L	COILCRAFT	Midi Spring® Air Core Inductors	获取价格

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