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1812SMS-27N_L

更新时间： 2024-01-31 01:32:36

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飞思卡尔 - FREESCALE		/
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15页	525K
描述
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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1812SMS-27N_L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	1925
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8504.50.80.00	风险等级：	5.78
大小写代码：	1925	构造：	Flat Top
型芯材料：	AIR	直流电阻：	0.004 Ω
标称电感 (L)：	0.027 µH	电感器应用：	RF INDUCTOR
电感器类型：	GENERAL PURPOSE INDUCTOR	JESD-609代码：	e0
功能数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	140 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装高度：	4.2 mm	封装长度：	4.95 mm
封装形式：	SMT	封装宽度：	6.35 mm
包装方法：	TR	最小质量因数（标称电感时）：	100
自谐振频率：	0.0027 MHz	形状/尺寸说明：	RECTANGULAR PACKAGE
屏蔽：	NO	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn63Pb37)	端子位置：	DUAL ENDED
端子形状：	FLAT	测试频率：	150 MHz
容差：	5%	Base Number Matches：	1

1812SMS-27N_L 数据手册

Document Number: MRF5S4125N

Rev. 0, 1/2007

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

MRF5S4125NR1

MRF5S4125NBR1

Designed for broadband commercial and industrial applications with

frequencies up to 500 MHz. The high gain and broadband performance of

these devices make them ideal for large-signal, common-source amplifier

applications in 28 volt base station equipment.

• Typical Single-Carrier N-CDMA Performance @ 465 MHz: V_DD= 28 Volts,

450-480 MHz, 25 W AVG., 28 V

SINGLE N-CDMA

_DQ= 1100 mA, P_out= 25 Watts Avg., IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging,

Traffic Codes 8 Through 13). Channel Bandwidth = 1.2288 MHz. PAR =

9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Power Gain — 23 dB

Drain Efficiency — 30.2%

ACPR @ 750 kHz Offset — -47.6 dBc in 30 kHz Bandwidth

LATERAL N-CHANNEL

RF POWER MOSFETs

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 465 MHz, 125 Watts CW

Output Power

Features

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• Internally Matched for Ease of Use

• Qualified Up to a Maximum of 32 V_DDOperation

• Integrated ESD Protection

CASE 1486-03, STYLE 1

TO-270 WB-4

MRF5S4125NR1

• 200°C Capable Plastic Package

• RoHS Compliant

• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.

CASE 1484-04, STYLE 1

TO-272 WB-4

MRF5S4125NBR1

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

-0.5, +65

-0.5, +15

- 65 to +150

200

Unit

Vdc

°C

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Storage Temperature Range

DSS

stg

(1,2)

Operating Junction Temperature

°C

Table 2. Thermal Characteristics

Characteristic

(2,3)

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

Case Temperature 90°C, 125 W CW

Case Temperature 90°C, 25 W CW

°C/W

0.33

0.43

1. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.

2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Tools/Software/Application Software/Calculators to access the MTTF

calculators by product.

3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.

Select Documentation/Application Notes - AN1955.

MRF5S4125NR1 MRF5S4125NBR1

RF Device Data

Freescale Semiconductor

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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1812SMS-27NGLC	COILCRAFT	Midi SpringÂ® Air Core Inductors	获取价格
1812SMS-27NGLD	COILCRAFT	Midi SpringÂ® Air Core Inductors	获取价格
1812SMS--27NJLC	FREESCALE	RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs	获取价格
1812SMS-27NJSB	COILCRAFT	General Purpose Inductor, 0.027uH, 5%, 1 Element, Air-Core, SMD, 1925,	获取价格
1812SMS-27N-L	COILCRAFT	Midi Spring® Air Core Inductors	获取价格

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