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W01

更新时间： 2024-01-05 17:42:46

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2页	402K
描述
1.5 Amp SINGLE PHASE SILICON BRIDGE LOW LEAKAGE CURRENT

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技术参数
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W01 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-PBCY-W4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	最小击穿电压：	50 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-PBCY-W4
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
最大重复峰值反向电压：	50 V	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

W01 数据手册

Data Sheet

1.5 Amp

SINGLE PHASE SILICON BRIDGE

Mechanical Dimensions

Description

.360(9.1)

.340(8.6)

.217(5.5)

.197(5.0)

1.0(25.4)

MIN.

1.2(30.5)

MIN.

.032(0.8)

.028(0.7)

POS

LEAD

.220(5.6)

.180(4.6)

.220(5.6)

.180(4.6)

Dimensions in inches and (millimeters)

WOB

Features

n COMPACT SIZE

200 AMP SURGE OVERLOAD RATING

n LOW LEAKAGE CURRENT

n MEETS UL SPECIFICATION 94V-0

WEIGHT: 1.1GRAMS

W005 . . . 10 Series

Units

Maximum Ratings

W005

W01

100

W02

200

140

200

W04

400

280

400

W06

600

420

600

W08

800

560

800

W10

1000

700

Volts

Peak Repetitive Reverse Voltage...V_RRM

RMS Reverse Voltage...V_R(rms)

DC Blocking Voltage...V_DC

100

1000

Average Forward Rectified Current...I_F(av)

............................................. 1.5 ............................................... Amps

............................................. 50 ............................................... Amps

T_A= 25°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current...I_FSM

8.3 ms Single ½ Sine Wave Imposed on Rated Load

Operating & Storage Temperature Range...T_J, T_STRG

........................................ -55 to 125 .........................................

°C

Electrical Characteristics

Maximum Forward Voltage...V_F

Per Bridge Element @ 1.0 Amp

............................................. 1.0 ............................................... Volts

Maximum DC Reverse Current Per Bridge Element...I_R

µAmps

mAmps

@ Rated DC Blocking Voltage

T = 25°C

............................................. 10 ...............................................

............................................. 1.0 ...............................................

T_A^A=100°C

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
W010M	CHENG-YI	SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE	获取价格
W0174RR060-120	IXYS	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 174A, 1200V V(RRM), Silicon,	获取价格
W0174SR060-120	IXYS	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 174A, 1200V V(RRM), Silicon,	获取价格
W01BA	ETC	SUBMINATURE/MULTI-FUNCTION/UNBRACKETED	获取价格
W01BB	ETC	SUBMINATURE/MULTI-FUNCTION/UNBRACKETED	获取价格
W01BC	ETC	SUBMINATURE/MULTI-FUNCTION/UNBRACKETED	获取价格