KSB564ACYTA

更新时间： 2024-01-09 09:52:30

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		放大器功率放大器
页数	文件大小	规格书
4页	42K
描述
Audio Frequency Power Amplifier

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

KSB564ACYTA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.46	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.8 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	110 MHz	Base Number Matches：	1

KSB564ACYTA 数据手册

KSB564A

Audio Frequency Power Amplifier

•

Complement to KSD471A

Collector Current : I = -1A

Collector Power Dissipation : P = 800mW

Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)

TO-92

1. Emitter 2. Base 3. Collector

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Ratings

-30

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

CBO

-25

CEO

EBO

-5

-1.0

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

800

°C

150

-55 ~ 150

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Test Condition

Min.

-30

-25

-5

Typ.

Max.

Units

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

I = -100µA, I =0

CBO

CEO

EBO

I = -10mA, I =0

C B

I = -100µA, I =0

= -30V, I =0

-0.1

400

-0.5

-1.2

µA

CBO

DC Current Gain

= -1V, I = -100mA

(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Current Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

I = -1A, I = -0.1A

(sat)

I = -1A, I = -0.1A

C B

= -6V, I = -10mA

110

MHz

= -6V, I =0, f=1MHz

Classification

70 ~ 140

120 ~ 240

200 ~ 400

Rev. A1, June 2001

12 3 4

下载PDF

与KSB564ACYTA相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
KSB564ACYTA_NL	FAIRCHILD	Audio Frequency Power Amplifier	获取价格
KSB564AG	FAIRCHILD	Audio Frequency Power Amplifier	获取价格
KSB564A-G	SAMSUNG	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO	获取价格
KSB564AGBU	FAIRCHILD	Audio Frequency Power Amplifier	获取价格
KSB564AGD26Z	FAIRCHILD	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	获取价格
KSB564AGD27Z	FAIRCHILD	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	获取价格