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UT62L12816MC-70LI

更新时间: 2024-02-09 21:31:30
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 202K
描述
128K x 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM

UT62L12816MC-70LI 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP, TSOP44,.46,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.87Is Samacsys:N
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e0
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16端子数量:44
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP封装等效代码:TSOP44,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.000005 A
最小待机电流:1.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.03 mA表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

UT62L12816MC-70LI 数据手册

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