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RJN1163

更新时间： 2022-11-24 21:17:41
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4页 176K
描述
Electret Capacitor Microphone Applications

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RJN1163 数据手册

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N-Channel Junction FET  
RJN1163  
Electret Capacitor Microphone Applications  
Package Type : SOT-300  
Features  
[unit:mm]  
ꢀ Specially suited for use in audio and  
telephone electret capacitor microphones  
ꢀ Excellent voltage gain  
1.60±0.05  
0.31±0.03  
0.12±0.03  
ꢀ Very low noise  
ꢀ High ESD voltage  
3
ꢀ Ultra-small size package  
0~0.02  
1
2
Applications  
0.21±0.03  
0.5±0.05  
0.21±0.03  
0.5±0.05  
MAX 0.34  
ꢀ Cellular phones  
ꢀ Portable audio  
ꢀ PDAs  
[TOP VIEW]  
[SIDE VIEW]  
ꢀ MP3 players  
1. Drain 2. Source 3. Gate  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 oC  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Gate-to-Drain Voltage  
Gate Current  
Drain Current  
Allowable Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
VGDO  
IG  
ID  
PD  
Tj  
Tstg  
-20  
10  
10  
100  
150  
V
mA  
mA  
mW  
oC  
oC  
-55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta = 25 o C  
Ratings  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Min  
-20  
-0.2  
70*  
0.4  
Typ  
Max  
-1.5  
Gate-to-Drain Breakdown Voltage  
Cutoff Voltage  
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Forward Transfer Admittance  
Input Capacitance  
V(BR)GDO  
VGS(off)  
IDSS  
|yfs|  
Ciss  
V
V
IG = -100µA  
VDS = 5V, ID = 1µA  
VDS = 5V, VGS = 0  
VDS = 5V, VGS = 0, f = 1kHz  
VDS = 5V, VGS = 0, f = 1MHz  
VDS = 5V, VGS = 0, f = 1MHz  
-0.6  
430*  
µA  
mS  
pF  
pF  
1.2  
3.5  
0.8  
Reverse Transfer Capacitance  
Crss  
* The RJN1163 is classified by IDSS as follows  
Classification  
A1  
70~120  
A2  
100~170  
B
C
D
150~270  
210~350  
320~430  
IDSS(µA)  
RFsemi Technologies, Inc.  
Rev. 4  
1234

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