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CS18LV20483ZI-70

更新时间: 2024-02-07 05:43:35
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 757K
描述
High Speec Super Low Power SRAM

CS18LV20483ZI-70 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:DICE
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.7
Is Samacsys:N最长访问时间:70 ns
JESD-30 代码:X-XUUC-N内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256KX8封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIE封装形状:UNSPECIFIED
封装形式:UNCASED CHIP并行/串行:PARALLEL
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:NO LEAD端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

CS18LV20483ZI-70 数据手册

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High Speed Super Low Power SRAM  
CS18LV20483  
256K-Word By 8 Bit  
Revision History  
Rev. No.  
History  
Initial issue  
Issue Date  
Jan.26,2005  
Remark  
1.0  
1
Rev. 1.0  
Chiplus reserves the right to change product or specification without notice.  

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