5秒后页面跳转
AS4C1M16F5-60JI PDF预览

AS4C1M16F5-60JI

更新时间: 2024-02-26 20:20:22
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
21页 475K
描述
5V 1M X 16 CMOS DRAM

AS4C1M16F5-60JI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP44/50,.46,32
针数:50Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.78访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0长度:20.95 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:44
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:1MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP44/50,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):240电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:NO
最大待机电流:0.002 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.135 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

AS4C1M16F5-60JI 数据手册

 浏览型号AS4C1M16F5-60JI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS4C1M16F5-60JI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS4C1M16F5-60JI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS4C1M16F5-60JI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS4C1M16F5-60JI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS4C1M16F5-60JI的Datasheet PDF文件第7页 
AS4C1M16F5  
®
5V 1M×16 CMOS DRAM (fast-page mode)  
Features  
• 1024 refresh cycles, 16 ms refresh interval  
RAS-only or CAS-before-RAS refresh  
• Organization: 1,048,576 words × 16 bits  
• High speed  
-
• Read-modify-write  
- 50/60 ns RAS access time  
- 20/25 ns fast page cycle time  
- 13/17 ns CAS access time  
• Low power consumption  
• TTL-compatible, three-state DQ  
• JEDEC standard package and pinout  
- 400 mil, 42-pin SOJ  
- 400 mil, 44/50-pin TSOP II  
• 5V power supply  
• Industrial and commercial temperature available  
- Active:  
880 mW max (AS4C1M16E0-60)  
- Standby: 11 mW max, CMOS DQ  
• Fast page mode  
Pin arrangement  
Pin designation  
TSOP II  
50  
Pin(s)  
A0 to A9  
RAS  
Description  
SOJ  
VCC  
VSS  
1
Address inputs  
Vcc  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
Vcc  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
NC  
1
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
VSS  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
DQ16  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
VSS  
DQ12  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
2
2
DQ16  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
VSS  
3
3
Row address strobe  
Input/output  
4
4
DQ4  
5
5
DQ1 to DQ16  
OE  
VCC  
6
6
DQ5  
7
DQ12  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
NC  
7
Output enable  
8
DQ6  
DQ7  
DQ8  
8
9
9
WE  
Write enable  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
10  
11  
NC  
NC  
NC  
WE  
LCAS  
UCAS  
OE  
UCAS  
LCAS  
Column address strobe, upper byte  
Column address strobe, lower byte  
Power  
RAS  
NC  
A9  
NC  
A8  
NC  
NC  
WE  
RAS  
NC  
NC  
A0  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
NC  
LCAS  
UCAS  
OE  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
VCC  
A0  
A7  
A1  
A6  
VSS  
Ground  
A2  
A5  
A3  
A4  
A9  
Vcc  
VSS  
A8  
A7  
A1  
A6  
A2  
23  
24  
25  
A5  
28  
27  
26  
A3  
A4  
VCC  
VSS  
Selection guide  
Symbol  
tRAC  
tAA  
AS4C1M16F5-50  
50  
AS4C1M16F5-60  
Unit  
Maximum RAS access time  
60  
30  
ns  
ns  
Maximum column address access time  
Maximum CAS access time  
25  
13  
tCAC  
tOEA  
tRC  
17  
ns  
Maximum output enable (OE) access time  
Minimum read or write cycle time  
Minimum fast page mode cycle time  
Maximum operating current  
13  
15  
ns  
84  
104  
25  
ns  
tPC  
20  
ns  
ICC1  
ICC5  
170  
2.0  
160  
2.0  
mA  
mA  
Maximum CMOS standby current  
4/11/01; v.0.9.1  
Alliance Semiconductor  
P. 1 of 21  
Copyright © Alliance Semiconductor. All rights reserved.  

与AS4C1M16F5-60JI相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
AS4C1M16F5-60TC ETC 5V 1M X 16 CMOS DRAM

获取价格

AS4C1M16F5-60TI ETC 5V 1M X 16 CMOS DRAM

获取价格

AS4C1M16S-6TIN ALSC 1M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)

获取价格

AS4C1M16S-7TCN ALSC 1M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)

获取价格

AS4C1M16S-CI ALSC Programmable Mode registers

获取价格

AS4C256K16E0 ALSC 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)

获取价格