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5962-9089901MUX

更新时间： 2024-02-25 06:02:19

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其他 - ETC		闪存内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数	文件大小	规格书
27页	208K
描述
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON

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5962-9089901MUX 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCN, LCC32,.45X.55	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.58
最长访问时间：	250 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-CQCC-N32	JESD-609代码：	e0
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装等效代码：	LCC32,.45X.55
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
编程电压：	12 V	认证状态：	Qualified
筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class Q	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...27

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
5962-9089901MXA	ROCHESTER	Flash, 128KX8, 250ns, CDIP32, WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERDIP-32	获取价格
5962-9089901MXX	ETC	MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON	获取价格
5962-9089901MYA	ROCHESTER	128KX8 FLASH 12V PROM, 250ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32	获取价格
5962-9089901MYX	ETC	MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON	获取价格
5962-9089901MZA	ETC	x8 Flash EEPROM	获取价格
5962-9089901MZX	ETC	MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON	获取价格