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EBD21RD4ABNA-10

更新时间： 2024-01-18 12:04:54

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数	文件大小	规格书
19页	176K
描述
2GB Registered DDR SDRAM DIMM

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EBD21RD4ABNA-10 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM184
针数：	184	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.8 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N184
内存密度：	19327352832 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	72	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	184	字数：	268435456 words
字数代码：	256000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256MX72	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM184	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.42 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	7.24 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

EBD21RD4ABNA-10 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

2GB Registered DDR SDRAM DIMM

EBD21RD4ABNA (256M words × 72 bits, 2 Banks)

Description

Features

The EBD21RD4ABNA is a 256M words × 72 bits, 2

bank Double Data Rate (DDR) SDRAM Module,

mounted 36 pieces of DDR SDRAM sealed in TCP

package. Read and write operations are performed at

the cross points of the CK and the /CK. This high-

speed data transfer is realized by the 2-bit prefetch-

pipelined architecture. Data strobe (DQS) both for

read and write are available for high speed and reliable

data bus design. By setting extended mode register,

the on-chip Delay Locked Loop (DLL) can be set

enable or disable. This module provides high density

mounting without utilizing surface mount technology.

Decoupling capacitors are mounted beside each TCP

on the module board.

• 184-pin socket type dual in line memory module

(DIMM)

PCB height: 30.48mm

Lead pitch: 1.27mm

• 2.5V power supply

• Data rate: 266Mbps/200Mbps (max.)

• 2.5 V (SSTL_2 compatible) I/O

• Double Data Rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• Bi-directional, data strobe (DQS) is transmitted

/received with data, to be used in capturing data at

the receiver

• Data inputs and outputs are synchronized with DQS

• 4 internal banks for concurrent operation

(Component)

Note: Do not push the cover or drop the modules in

order to avoid mechanical defects, which may

result in electrical defects.

• DQS is edge aligned with data for READs; center

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• LL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

• Commands entered on each positive CK edge; data

referenced to both edges of DQS

• Auto precharge option for each burst access

• Programmable burst length: 2, 4, 8

• Programmable /CAS latency (CL): 2, 2.5

• Refresh cycles: (8192 refresh cycles /64ms)

7.8µs maximum average periodic refresh interval

• 2 variations of refresh

Auto refresh

Self refresh

• 1 piece of PLL clock driver, 1 piece of register driver

and 1 piece of serial EEPROM (2k bits EEPROM) for

Presence Detect (PD)

Document No. E0273E20 (Ver. 2.0)

Date Published Aug 2002 (K) Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2002

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
EBD21RD4ABNA-7A	ELPIDA	2GB Registered DDR SDRAM DIMM	获取价格
EBD21RD4ABNA-7B	ELPIDA	2GB Registered DDR SDRAM DIMM	获取价格
EBD21RD4ADNA	ELPIDA	2GB Registered DDR SDRAM DIMM (256M words X72 bits, 2 Ranks)	获取价格
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