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EBD12UB8ALF-75

更新时间： 2024-01-19 11:33:39

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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128MB Unbuffered DDR SDRAM DIMM

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EBD12UB8ALF-75 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM184
针数：	184	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.75 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N184
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	184
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM184
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	自我刷新：	YES
子类别：	DRAMs	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

EBD12UB8ALF-75 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

128MB Unbuffered DDR SDRAM DIMM

EBD12UB8ALF (16M words × 64 bits, 1 Bank)

Description

Features

The EBD12UB8ALF is 16M words × 64 bits, 1 bank

Double Data Rate (DDR) SDRAM unbuffered module,

• 184-pin socket type dual in line memory module

(DIMM)

mounted

8 pieces of 128M bits DDR SDRAM

Outline: 133.35mm (Length) × 31.75mm (Height) ×

(EDD1208ALTA) sealed in TSOP package. Read and

write operations are performed at the cross points of

the CLK and the /CLK. This high-speed data transfer

is realized by the 2 bits prefetch-pipelined architecture.

Data strobe (DQS) both for read and write are available

for high speed and reliable data bus design. By setting

extended mode register, the on-chip Delay Locked

Loop (DLL) can be set enable or disable. An outline of

the products is 184-pin socket type package (dual lead

out). Therefore, it makes high density mounting

possible without surface mount technology. It provides

4.00mm (Thickness)

Lead pitch: 1.27mm

• 2.5V power supply (VDD/VDDQ)

• SSTL-2 interface for all inputs and outputs

• Clock frequency: 133MHz/100MHz (max.)

• Data inputs and outputs are synchronized with DQS

• 4 banks can operate simultaneously and

independently (Component)

• Burst read/write operation

• Programmable burst length: 2, 4, 8

Burst read stop capability

• Programmable burst sequence

Sequential

common data inputs and outputs.

Decoupling

capacitors are mounted beside each TSOP on the

module board.

Interleave

• Start addressing capability

Even and Odd

• Programmable /CAS latency (CL): 2, 2.5

• 4096 refresh cycles: 15.6µs (4096/64ms)

• 2 variations of refresh

Auto refresh

Self refresh

Document No. E0216E10 (Ver. 1.0)

Date Published September 2001 (K)

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2001

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
EBD12UB8ALF-7A	ELPIDA	128MB Unbuffered DDR SDRAM DIMM	获取价格
EB-D13.00M	CTS	Clipped Sine Output Oscillator, 13MHz Nom, MINIATURE, SMD, 4 PIN	获取价格
EBD13UB6ALS	ELPIDA	128MB DDR SDRAM S.O. DIMM	获取价格
EBD13UB6ALS-1A	ELPIDA	128MB DDR SDRAM S.O. DIMM	获取价格
EBD13UB6ALS-75	ELPIDA	128MB DDR SDRAM S.O. DIMM	获取价格
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