1J4B1

更新时间： 2024-01-25 04:36:41

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EIC		整流二极管桥式整流二极管
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2页	33K
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SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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1J4B1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-PBCY-W4	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.2 V	JESD-30 代码：	O-PBCY-W4
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	55 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	1.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向电流：	0.0004 µA
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

1J4B1 数据手册

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

WOB

1(B,G,J)4B1

PRV : 100 - 600 Volts

Io : 1.5 Ampere

0.39 (10.0)

0.31 (7.87)

0.22 (5.59)

0.18 (4.57)

FEATURES :

1.00 (25.4)

MIN.

* High case dielectric strength

* High surge current capability

* High reliability

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

* Ideal for printed circuit board

* Pb / RoHS Free

0.034 (0.86)

0.028 (0.71)

MECHANICAL DATA :

0.22 (5.59)

0.18 (4.57)

* Case : Reliable low cost construction

utilizing molded plastic technique

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Terminals : Plated leads solderable per

MIL-STD-202, Method 208 guaranteed

* Polarity : Polarity symbols marked on case

* Mounting position : Any

0.22 (5.59)

0.18 (4.57)

Dimension in inches and (millimeter)

* Weight : 1.29 grams

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.

1B4B1

1G4B1

400

1J4B1

RATING

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum Average Output Rectified Current, Ta = 50°C

Maximum Peak One Cycle Surge Forward Current

(Non Repetitive)

SYMBOL

VRRM

UNIT

100

600

IF(AV)

1.5

50 (50 Hz)

55 (60 Hz)

1.2

IFSM

Maximum Forward Voltage at IF = 1.5 A

Maximum Repetitive Peak Reverse Current

at VRRM = Rated, Tj = 150°C

IRRM

0.4

Junction Temperature

-40 to +150

°C

TSTG

Storage Temperature Range

Page 1 of 2

Rev. 02 : March 25, 2005

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