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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> BYZ35K27
BYZ35K27 PDF预览

BYZ35K27

更新时间： 2024-02-10 15:10:25
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 二极管电视
页数 文件大小 规格书
2页 154K
描述
Silicon Protectifiers with TVS characteristics High-temperature diodes

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BYZ35K27 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：O-MUPF-P1针数：1
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.8
其他特性：UL CLASSIFICATION最大击穿电压：29 V
最小击穿电压：25 V外壳连接：ANODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：O-MUPF-P1
JESD-609代码：e2最大非重复峰值反向功率耗散：8000 W
元件数量：1端子数量：1
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：PRESS FIT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：20 V表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：PIN/PEG端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BYZ35K27 数据手册

 浏览型号BYZ35K27的Datasheet PDF文件第2页 
BYZ 35A22 ... BYZ 35A47  
BYZ 35K22 ... BYZ 35K47  
Silicon Protectifiers  
Silizium Schutzgleichrichter  
mit Begrenzereigenschaften  
Hochtemperaturdioden  
with TVS characteristics  
High-temperature diodes  
Ø 12.75  
Ø 11 ±0.1  
Nominal current – Nennstrom  
35 A  
Nominal breakdown voltage  
Nominale Abbruch-Spannung  
19.8 ... 51.7 V  
Metal press-fit case with plastic cover  
1.3  
Metall-Einpreßgehäuse mit Plastik-Abdeckung  
Weight approx. – Gewicht ca.  
10 g  
Casting compound has UL classification 94V-0  
Vergußmasse UL94V-0 klassifiziert  
Ø 13±01  
Standard packaging: bulk  
Standard Lieferform: lose im Karton  
Dimensions / Maße in mm  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type / Typ  
Breakdown voltage  
Abbruch-Spannung  
IT = 100 mA  
Reverse voltage  
Sperrspannung  
IR = 5 ꢀA  
Max. clamping voltage  
Max. Begrenzerspanng.  
at / bei IPP, tp = 1m s  
Wire to / Draht an  
Anode  
Cathode  
VBRmin [V] VBRmax  
VR [V]  
VC [V]  
31,9  
39,1  
47,7  
56,4  
67,8  
IPP [A]  
161  
128  
106  
89  
BYZ 35A22  
BYZ 35A27  
BYZ 35A33  
BYZ 35A39  
BYZ 35A47  
BYZ 35K22  
BYZ 35K27  
BYZ 35K33  
BYZ 35K39  
BYZ 35K47  
19.8  
24.3  
29.7  
35.1  
42.3  
24.2  
29.7  
36.3  
42.9  
51.7  
> 17.8  
> 21.8  
> 26.8  
> 31.6  
> 38.1  
75  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TC = 150ꢀC IFAV  
35 A  
Peak forward surge current, 50 / 60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50 / 60 Hz Sinus-Halbwelle  
TA = 25ꢀC  
TA = 25ꢀC  
IF = 35 A  
IFSM  
360 / 400 A  
660 A2s  
Rating for fusing, t <10 ms  
Grenzlastintegral, t <10 ms  
i2t  
VF  
Tj  
Forward voltage  
Tj = 25ꢀC  
< 1.1 V  
Durchlaßspannung  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
– 50…+215ꢀC  
TS – 50…+215ꢀC  
1
07.01.2003  
12

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