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5.0SMCJ33A-Q

更新时间: 2024-01-29 06:49:18
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德欧泰克 - DIOTEC IOT
页数 文件大小 规格书
3页 144K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode,

5.0SMCJ33A-Q 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.69
Is Samacsys:N湿度敏感等级:1
Base Number Matches:1

5.0SMCJ33A-Q 数据手册

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5.0SMCJ12A ... 5.0SMCJ170CA  
5.0SMCJ12A ... 5.0SMCJ170CA  
PPPM = 5000 W  
PM(AV) = 6.0 W  
Tjmax = 150°C  
VWM = 12 ... 170 V  
VBR = 14 ... 200 V  
SMD Transient Voltage Suppressor Diodes  
SMD Spannungs-Begrenzer-Dioden  
Version 2018-10-26  
Typical Applications  
Over-voltage protection  
ESD protection  
Typische Anwendungen  
Schutz gegen Überspannung  
ESD-Schutz  
SMC  
~ DO-214AB  
Free-wheeling diodes  
Freilauf-Dioden  
Commercial grade  
Standardausführung  
7.9±0.2  
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)  
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified 1)  
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)  
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert 1)  
Features  
Besonderheiten  
Uni- und Bidirektionale Versionen  
5000 W Impuls-Verlustleistung  
(10/1000 µs Strom-Impuls)  
Sehr schnelle Ansprechzeit  
Konform zu RoHS, REACH,  
Konfliktmineralien 1)  
1.2  
0.15  
Uni- and Bidirectional versions  
Peak pulse power of 5000 W  
(10/1000 µs waveform)  
Very fast response time  
Compliant to RoHS, REACH,  
Conflict Minerals 1)  
R
Type  
Typ  
V
Mechanical Data 1)  
Mechanische Daten 1)  
7.2±0.5  
Taped and reeled  
5000 / 13“  
0.21 g  
Gegurtet auf Rolle  
Gewicht ca.  
Dimensions - Maße [mm]  
Weight approx.  
Type = Part number. Cathode mark  
only at unidirectional types  
Case material  
UL 94V-0  
260°C/10s  
MSL = 1  
Gehäusematerial  
Solder & assembly conditions  
Löt- und Einbaubedingungen  
Typ = Artikel-Nr. Kathoden-Markierung nur  
bei unidirektionalen Typen  
For bidirectional types (suffix “CA”), electrical characteristics apply in both directions.  
Für bidirektionale Dioden (mit Suffix “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.  
Maximum ratings 2)  
Grenzwerte 2)  
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)  
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)  
PPPM  
PM(AV)  
IFSM  
5000 W 3)  
6.0 W  
Steady state power dissipation – Verlustleistung im Dauerbetrieb  
TT = 75°C  
Peak forward surge current  
Stoßstrom in Fluss-Richtung  
Half sine-wave  
Sinus-Halbwelle  
60 Hz (8.3 ms)  
300 A 4)  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-55...+150°C  
-55...+150°C  
Characteristics  
Kennwerte  
Max. instantaneous forward voltage  
Augenblickswert der Durchlass-Spannung  
< 3.5 V 4)  
IF = 100 A VBR ≤ 200 V  
VF  
Typ. thermal resistance junction to ambien – Typ.Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung  
Typ. thermal resistance junction to terminal – Typ.Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss  
RthA  
RthT  
33 K/W 5)  
10 K/W  
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book  
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches  
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben  
Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)  
2
3
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)  
4
5
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden  
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal  
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 
 
 
 

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