2N4400

更新时间： 2024-02-14 22:34:06

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管
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描述
Si-Epitaxial PlanarTransistors

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2N4400 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
基于收集器的最大容量：	6.5 pF	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	最大关闭时间（toff）：	255 ns
VCEsat-Max：	0.75 V	Base Number Matches：	1

2N4400 数据手册

2N4400, 2N4401

General Purpose Transistors

Si-Epitaxial PlanarTransistors NPN

NPN

Version 2004-01-20

Power dissipation – Verlustleistung

625 mW

Plastic case

Kunststoffgehäuse

TO-92

(10D3)

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Pinning

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

1 = C 2 = B 3 = E

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

2N4400, 2N4401

40 V

Collector-Emitter-voltage

B open

E open

C open

V_CE0

V_EB0

P_tot

I_C

Collector-Base-voltage

60 V

Emitter-Base-voltage

6 V

625 mW ¹)

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (dc)

Junction temp. – Sperrschichttemperatur

600 mA

T_j

150°C

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_S

- 55…+ 150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspannung

I_C= 150 mA, I_B= 15 mA

I_C= 500 mA, I_B= 50 mA

V_CEsat

–

400 mV

750 mV

Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung

I_C= 150 mA, I_B= 15 mA

I_C= 500 mA, I_B= 50 mA

V_BEsat

750 mV

–

950 mV

1.2 V

Collector cutoff current – Kollektorreststrom

V_CE= 35 V, V_EB= 0.4 V

I_CBV

–

100 nA

Emitter cut-off current – Emitterreststrom

V_CE= 35 V, V_EB= 0.4 V

I_EBV

)

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

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