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DMN2320UFB4-7B

更新时间： 2024-01-29 14:05:51

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	187K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, X2-DFN1006-3, 3 PIN

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DMN2320UFB4-7B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CHIP CARRIER, R-PBCC-N3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	5.73	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	1 A	最大漏源导通电阻：	0.32 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PBCC-N3
JESD-609代码：	e4	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

DMN2320UFB4-7B 数据手册

DMN2320UFB4

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Product Summary

Features and Benefits

•

Footprint of just 0.6mm²– thirteen times smaller than SOT23

0.4mm profile – ideal for low profile applications

Low Gate Threshold Voltage

I_Dmax

T_A= +25°C

1.0A

V_(BR)DSS

R_DS(on)

320mΩ @ V_GS= 4.5V

500mΩ @ V_GS= 2.5V

1000mΩ @ V_GS= 1.8V

Fast Switching Speed

20V

0.65A

Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

ESD Protected Gate 2KV

0.4A

Mechanical Data

Description and Applications

This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance

(R_DS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it

ideal for high-efficiency power management applications.

•

Case: X2-DFN1006-3

Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.

UL Flammability Classification Rating 94V-0

•

Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020

•

Load switch

Terminals: Finish – NiPdAu over Copper Leadframe.

Solderable per MIL-STD-202, Method 208

Weight: 0.001 grams (Approximate)

•

X2-DFN1006-3

Gate Protection

Diode

ESD PROTECTED TO 2kV

Bottom View

Top View

Internal Schematic

Equivalent Circuit

Ordering Information (Note 4)

Part Number

DMN2320UFB4-7B

Marking

Reel size (inches)

Tape width (mm)

Quantity per reel

10,000

Notes:

1. No purposely added lead. Fully EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant.

2. See http://www.diodes.com/quality/lead_free.html for more information about Diodes Incorporated’s definitions of Halogen- and Antimony-free, "Green"

and Lead-free.

3. Halogen- and Antimony-free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and

<1000ppm antimony compounds.

4. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/products/packages.html.

Marking Information

DMN2320UFB4-7B

ND = Product Type Marking Code

Top View

Bar Denotes Gate

and Source Side

1 of 7

www.diodes.com

April 2015

DMN2320UFB4

Document number: DS37892 Rev. 1 - 2

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
DMN2400UFB	DIODES	N-Channel Mosfet	获取价格
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