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DC0150BDJ-7 PDF预览

DC0150BDJ-7

更新时间： 2024-01-30 22:12:14
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 109K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6

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DC0150BDJ-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：20 weeks
风险等级：5.78最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：60 MHz
Base Number Matches：1

DC0150BDJ-7 数据手册

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DC0150ADJ / DC0150BDJ  
COMPLEMENTARY NPN/PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
Epitaxial Planar Die Construction  
•
•
Case: SOT-963  
Ideally Suited for Automated Assembly Processes  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)  
"Green" Device (Note 2)  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound. UL  
Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminals: Finish ⎯ Matte Tin annealed over Copper leadframe.  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
•
•
Ultra Small Package  
•
•
•
Marking Information: See Page 5  
Ordering Information: See Page 5  
Weight: 0.0027 grams (approximate)  
SOT-963  
4
6
5
Q2  
Q1  
2
1
3
Top View  
Device Schematic  
Maximum Ratings–Q1 NPN @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
60  
Unit  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
50  
V
5
V
Collector Current – Continuous  
Base Current  
100  
30  
mA  
mA  
IB  
Maximum Ratings–Q2 PNP @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
-50  
Unit  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-50  
V
-5  
V
Collector Current - Continuous  
Base Current  
-100  
-30  
mA  
mA  
IB  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Power Dissipation (Note 3)  
Symbol  
PD  
Value  
300  
Unit  
mW  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 3)  
Operating and Storage Temperature Range  
417  
Rθ  
JA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Notes:  
1. No purposefully added lead.  
2. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
3. Device mounted on FR-4 PCB with minimum recommended pad layout.  
1 of 6  
www.diodes.com  
April 2009  
© Diodes Incorporated  
DC0150ADJ / DC0150BDJ  
Document number: DS31480 Rev. 3 - 2  
123456

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