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BZX55C9V1

更新时间： 2024-02-26 07:52:04

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美台 - DIODES		二极管齐纳二极管测试
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描述
500mW ZENER DIODE

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BZX55C9V1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-35	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	1.21	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	10 Ω
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	AEC-Q101	标称参考电压：	9.1 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	最大电压容差：	6.08%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

BZX55C9V1 数据手册

BZX55C2V4 - BZX55C75

500mW ZENER DIODE

SIG

T R

Features

- 1

E 1

Very Sharp Reverse Characteristic

Low Reverse Current Level

Very High Stability

Low Noise

Mechanical Data

DO-35

Min

25.40

—

Dim

Max

—

Case: DO-35, Glass

Terminals: Solderable per MIL-STD-202,

Method 208

4.00

0.60

2.00

—

Polarity: Cathode Band

Approx. Weight: 0.13 grams

—

All Dimensions in mm

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Maximum Ratings

Characteristic

Symbol

Value

500

Unit

K/W

Test Condition

Lead length = 4.0mm, T_L= 25°C

P_d

I_Z

Power Dissipation

P_d/V_Z

300

Zener Current

Lead length = 4.0mm, T_L= constant

I_F= 200mA

qJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient Air

Forward Voltage

V_F

1.5

T_j,T_STG

-65 to +175

°C

Operating and Storage Temperature Range

DS18013 Rev. 3 - 3

1 of 3

BZX55C2V4-BZX55C75

12 3

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