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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2DD2150R-13
2DD2150R-13 PDF预览

2DD2150R-13

更新时间： 2024-01-03 09:52:54
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
4页 148K
描述
NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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2DD2150R-13 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-89包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：180
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：160 MHz
Base Number Matches：1

2DD2150R-13 数据手册

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2DD2150R  
NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Features  
•
•
•
•
•
•
Epitaxial Planar Die Construction  
Ideally Suited for Automated Assembly Processes  
Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)  
"Green" Device (Note 2)  
SOT89-3L  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
TOR  
LLEC  
2,4  
CO  
Mechanical Data  
3 E  
2 C  
1 B  
•
•
Case: SOT89-3L  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
C 4  
T
1
ASE  
B
•
•
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminals: Finish — Matte Tin annealed over Copper leadframe  
(Lead Free Plating). Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
3
EW  
VI  
OP  
EMITTER  
•
•
•
Marking & Type Code Information: See Page 3  
Ordering Information: See Page 3  
Weight: 0.072 grams (approximate)  
Schematic and Pin Configuration  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
Value  
Unit  
V
V
V
A
40  
20  
6
Peak Pulse Current  
5
Continuous Collector Current  
3
A
IC  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
PD  
Rθ  
Value  
1
Unit  
W
Power Dissipation (Note 3) @ TA = 25°C  
125  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 3) @ TA = 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
JA  
-55 to +150  
Tj, TSTG  
Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 4)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Conditions  
40  
20  
6
V
V
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
I
I
I
C = 50μA, IE = 0  
C = 1mA, IB = 0  
V
E = 50μA, IC = 0  
CB = 30V, IE = 0  
EB = 5V, IC = 0  
0.1  
⎯
⎯
μA  
μA  
V
V
Emitter Cut-Off Current  
0.1  
IEBO  
ON CHARACTERISTICS (Note 4)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
DC Current Gain  
0.2  
0.5  
V
VCE(SAT)  
hFE  
⎯
180  
I
I
C = 2A, IB = 0.1A  
390  
⎯
⎯
C = 100mA, VCE = 2V  
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
VCE = 2V, IE = -0.1A  
f = 100MHz  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
160  
28  
MHz  
pF  
fT  
⎯
⎯
⎯
⎯
VCB = 10V, IE = 0,  
f = 1MHz  
Cob  
Notes:  
1. No purposefully added lead.  
2. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
3. Device mounted on FR-4 PCB; pad layout as shown on page 4 or in Diodes Inc. suggested pad layout document AP02001, which can  
be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
4. Measured under pulsed conditions. Pulse width = 300μs. Duty cycle ≤2%.  
DS31148 Rev. 3 - 2  
1 of 4  
2DD2150R  
© Diodes Incorporated  
www.diodes.com  
1234

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