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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DFP |
| 包装说明： | DFP, FL24,.4 | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.41 |
| 最长访问时间： | 35 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-GDFP-F24 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 2KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DFP |
| 封装等效代码： | FL24,.4 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLATPACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 最大待机电流： | 0.02 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.15 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | FLAT | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 8403614KX | CYPRESS | Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CDFP24, CERAMIC, FP-24 |
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| 8403614LA | ETC | x8 SRAM |
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| 8403614LX | ETC | x8 SRAM |
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| 8403614XA | CYPRESS | Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
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| 8403614XX | CYPRESS | Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC32 |
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| 8403614YX | ETC | x8 SRAM |
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