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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | QLCC | 包装说明： | QCCN, LCC28,.35X.55 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.83 | 最长访问时间： | 25 ns |
| 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-CQCC-N28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 13.97 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 64KX4 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | QCCN | 封装等效代码： | LCC28,.35X.55 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度： | 1.905 mm | 最大待机电流： | 0.02 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.125 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 宽度： | 8.89 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-9322503MYX | ETC | x4 SRAM |
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| 5962-9322503MZX | ETC | x4 SRAM |
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| 5962-9322504MXA | CYPRESS | Standard SRAM, 64KX4, 20ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 |
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| 5962-9322504MXX | ETC | x4 SRAM |
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| 5962-9322504MYA | CYPRESS | Standard SRAM, 64KX4, 20ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 |
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| 5962-9322504MYX | ETC | x4 SRAM |
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