是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP24,.6 |
针数: | 24 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.56 | 最长访问时间: | 25 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XDIP-T24 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 31.877 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | OTP ROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP24,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 | 座面最大高度: | 5.715 mm |
最大待机电流: | 0.05 A | 子类别: | OTP ROMs |
最大压摆率: | 0.14 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-9080308MJX | ETC | x8 EPROM |
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5962-9080308MKA | WEDC | OTP ROM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDFP24, CERAMIC, FP-24 |
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5962-9080308MKX | ETC | x8 EPROM |
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5962-9080308MLA | WEDC | OTP ROM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP24 |
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5962-9080308MLX | ETC | x8 EPROM |
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5962-9080701M2A | TI | EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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