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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | WDIP, DIP28,.6 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.61 | 风险等级： | 5.72 |
| 最长访问时间： | 35 ns | 其他特性： | POWER SWITCHED PROM |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 37.338 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | UVPROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | WDIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE, WINDOW | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 13 V |
| 认证状态： | Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度： | 5.715 mm | 最大待机电流： | 0.04 A |
| 子类别： | EPROMs | 最大压摆率： | 0.13 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-8981706UX | ETC | x8 EPROM |
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| 5962-8981706ZA | ETC | x8 EPROM |
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| 5962-8982101GX | ETC | Dual Peripheral Driver |
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| 5962-8982101PX | ETC | Dual Peripheral Driver |
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| 5962-8982301MTX | ETC | Field Programmable Gate Array (FPGA) |
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| 5962-8982301MUA | XILINX | Field Programmable Gate Array, CMOS, CQFP164, CQ164 |
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