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| 生命周期： | Active | 包装说明： | DFP, FL24,.4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.27 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 45 ns |
| JESD-30 代码： | R-GDFP-F24 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 15.367 mm | 内存密度： | 8192 bit |
| 内存集成电路类型： | OTP ROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 1KX8 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DFP |
| 封装等效代码： | FL24,.4 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLATPACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度： | 2.286 mm |
| 最大待机电流： | 0.12 A | 子类别： | OTP ROMs |
| 最大压摆率： | 0.12 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | FLAT | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 9.652 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-8765102KX | ETC | x8 PROM |
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| 5962-8765102LX | CYPRESS | OTP ROM, 1KX8, 45ns, CMOS, CDIP24, CERAMIC, DIP-24 |
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| 5962-87651033X | ETC | x8 PROM |
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| 5962-8765103JA | WEDC | OTP ROM, 1KX8, 30ns, CMOS, CDIP24, |
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| 5962-8765103JX | ETC | x8 PROM |
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| 5962-8765103KX | ETC | x8 PROM |
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