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5962-8687519XA

更新时间: 2024-02-16 21:22:24
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赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 352K
描述
Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48

5962-8687519XA 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:48
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.56
最长访问时间:35 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN; INTERRUPT FLAG
JESD-609代码:e0长度:60.96 mm
内存密度:8192 bit内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM
内存宽度:8功能数量:1
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:1KX8
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DIP
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Qualified座面最大高度:5.08 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

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