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5962-8687503ZA

更新时间: 2024-01-02 04:32:35
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赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 352K
描述
Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CQCC52, CERAMIC, LCC-52

5962-8687503ZA 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:QCCN,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.56
Is Samacsys:N最长访问时间:55 ns
其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN; INTERRUPT FLAGJESD-30 代码:S-CQCC-N52
JESD-609代码:e0长度:19.0627 mm
内存密度:8192 bit内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:52字数:1024 words
字数代码:1000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:1KX8封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QCCN封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.54 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:TIN LEAD端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
宽度:19.0627 mmBase Number Matches:1

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