2N6050

更新时间： 2024-02-12 05:49:12

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描述
POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

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2N6050 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.63	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	12 A
基于收集器的最大容量：	500 pF	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	750
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	150 W
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	VCEsat-Max：	3 V
Base Number Matches：	1

2N6050 数据手册

POWER COMPLEMENTARY

SILICON TRANSISTORS

The 2N6050, 2N6051 and 2N6052 are silicon epitaxial-base PNP

transistors in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec

TO-3 metal case. They are inteded for use in power linear and low

frequency switching applications. The complementary NPN types are

2N6057, 2N6058 and 2N6059 respectively.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

2N6050

2N6057

2N6051

2N6058

2N6052

2N6059

2N6050

2N6057

2N6051

2N6058

2N6052

2N6059

2N6050

2N6057

2N6051

2N6058

2N6052

2N6059

Collector-Base Voltage

Collector-EmitterVoltage

I_E=0

V_CBO

100

I_B=0

V_CEO

100

V_BE=-1.5 V

V_CEX

100

2N6050

2N6057

2N6051

2N6058

2N6052

2N6059

Emitter-Base Voltage

I_C=0

V_EBO

5.0

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