2N7002-G

更新时间： 2024-02-12 19:50:26

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MOSFET

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2N7002-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

2N7002-G 数据手册

MOSFET

2N7002-G (N-Channel)

RoHS Device

Features

SOT-23

Power dissipation : 0.35W

0.119(3.00)

0.110(2.80)

Equivalent Circuit

0.056(1.40)

0.047(1.20)

0.083(2.10)

0.066(1.70)

G : Gate

0.006(0.15)

0.002(0.05)

S : Source

D : Drain

0.044(1.10)

0.035(0.90)

0.103(2.60)

0.086(2.20)

0.006(0.15)max

0.020(0.50)

0.013(0.35)

Maximum Ratings (at TA=25°C)

Symbol

0.007(0.20)min

Parameter

Value

Unit

Drain-Source voltage

VDS

Drain current

250

°C

Power dissipation

350

Dimensions in inches and (millimeter)

Junction and storage temperature

, TSTG

-55 ~ +150

Electrical Characteristics (at TA=25°C unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Drain-Source breakdown voltage

Gate-Threshold voltage

Gate-body leakage

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

VGS=0V, ID=10μA

V(BR)DSS

Vth(GS)

IGSS

VDS=VGS, ID=250μA

VDS=0V, VGS=15V

1.5

2.5

μA

VDS=60V, VGS=0V

Zero gate voltage drain current

On-state drain current

IDSS

ID(ON)

rDS(ON)

500

VDS=60V, VGS=0V, TJ=125°C

VGS=10V, VDS=7.5V

VGS=4.5V, VDS=10V

VGS=10V, ID=250mA

VGS=4.5V, ID=200mA

VDS=15V, ID=200mA

IS=200mA, VGS=0V

800

500

1300

700

1.5

2.0

300

0.85

0.6

0.06

Drain-Source on resistance

Forward tran conductance

Diode forward voltage

Total gate charge

gts

VSD

1.2

1.0

Gate-Source charge

Gate-Drain charge

Qgs

Qgd

Ciss

COSS

CrSS

td(ON)

VDS=30V, VGS=10V, ID=250mA

VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

1.2

7.5

VDD=30V, RL=200Ω

ID=100mA, VGEN=10V

RG=10Ω

Turn-on time

Turn-off time

7.5

td(off)

REV:B

Page 1

QW-BTR12

Comchip Technology CO., LTD.

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