生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 20 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.84 | 压伸定律: | CVSD |
滤波器: | YES | JESD-30 代码: | R-MDIP-P20 |
长度: | 29 mm | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 20 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
认证状态: | Not Qualified | 标称供电电压: | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
电信集成电路类型: | CVSD CODEC | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | PIN/PEG | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
FX30ASH03 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252AA |
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FX30ASH-03 | POWEREX | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.068ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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FX30ASJ03 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252AA |
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FX30ASJ-03 | MITSUBISHI | HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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FX30ASJ-03 | POWEREX | Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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FX30ASJ-03 | RENESAS | High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET |
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