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CP388X-BC108-CMTIN/LEAD

更新时间： 2024-01-09 12:56:30
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4页 618K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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CP388X-BC108-CMTIN/LEAD 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
Base Number Matches：1

CP388X-BC108-CMTIN/LEAD 数据手册

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CP388X-BC108  
NPN - Low Noise Transistor Die  
www.centralsemi.com  
The CP388X-BC108 is a silicon NPN transistor designed for low noise amplifier applications.  
MECHANICAL SPECIFICATIONS:  
Die Size  
13 x 13 MILS  
5.9 MILS  
Die Thickness  
Base Bonding Pad Size  
Emitter Bonding Pad Size  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
Scribe Alley Width  
Wafer Diameter  
3.9 x 3.9 MILS  
5.4 x 5.4 MILS  
Al-Si – 17,000Å  
Au – 9,000Å  
1.8 MILS  
5 INCHES  
Gross Die Per Wafer  
102,852  
BACKSIDE COLLECTOR  
R0  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
V
V
30  
25  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
V
V
Emitter-Base Voltage  
5.0  
Continuous Collector Current  
Operating and Storage Junction Temperature  
I
200  
mA  
°C  
C
T , T  
-65 to +150  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
=25V  
MIN  
TYP  
MAX  
15  
UNITS  
nA  
I
V
CBO  
CB  
I =2.0mA  
BV  
25  
V
V
V
V
V
V
V
V
CEO  
EBO  
C
BV  
I =10μA  
5.0  
E
V
V
V
V
V
V
I =10mA, I =0.5mA  
0.25  
0.6  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
BE(ON)  
FE  
C
B
I =100mA, I =5.0mA  
C
B
I =10mA, I =0.5mA  
0.7  
1.0  
0.83  
1.05  
0.7  
C
B
I =100mA, I =5.0mA  
C
B
V
=5.0V, I =2.0mA  
0.55  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CE  
C
V
V
V
V
V
V
V
=5.0V, I =10mA  
0.77  
C
h
h
h
=5.0V, I =10μA  
40  
C
=5.0V, I =2.0mA  
200  
240  
150  
800  
500  
FE  
C
=5.0V, I =2.0mA, f=1.0kHz  
fe  
C
f
=5.0V, I =10mA, f=100MHz  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
4.5  
10  
ob  
NF  
E
=5.0V, I =0.2mA, R =2.0kΩ,  
C
G
f=1.0kHz, BW=200Hz  
dB  
R0 (20-June 2016)  
1234

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