是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.74 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 16 A | 基于收集器的最大容量: | 500 pF |
集电极-发射极最大电压: | 120 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 20 | JEDEC-95代码: | TO-3 |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 200 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 200 W |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 1 MHz |
VCEsat-Max: | 2 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N5630E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 120V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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2N5630PBFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, |
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2N5631 | ONSEMI | POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
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2N5631 | NJSEMI | POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
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2N5631 | ASI | Transistor |
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2N5631 | FAIRCHILD | Transistor, |
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