5秒后页面跳转
2N5630 PDF预览

2N5630

更新时间: 2024-01-08 22:43:28
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 70K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

2N5630 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.74外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):16 A基于收集器的最大容量:500 pF
集电极-发射极最大电压:120 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):200 W
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):1 MHz
VCEsat-Max:2 VBase Number Matches:1

2N5630 数据手册

  
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  

与2N5630相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N5630E3 MICROSEMI Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 120V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL

获取价格

2N5630PBFREE CENTRAL Power Bipolar Transistor,

获取价格

2N5631 ONSEMI POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

获取价格

2N5631 NJSEMI POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

获取价格

2N5631 ASI Transistor

获取价格

2N5631 FAIRCHILD Transistor,

获取价格