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2N5496

更新时间: 2024-02-22 04:37:22
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CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管
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1页 74K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTORS

2N5496 技术参数

生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.68
最大集电极电流 (IC):7 A集电极-发射极最大电压:70 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):0.8 MHz
Base Number Matches:1

2N5496 数据手册

  
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  

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