是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.76 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 5 A | 集电极-发射极最大电压: | 60 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 7 |
JEDEC-95代码: | TO-3 | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 200 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
最大功率耗散 (Abs): | 87.5 W | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 4 MHz | VCEsat-Max: | 1.5 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N4914_09 | SEME-LAB | SILICON EPITAXIAL |
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2N4914LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 P |
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2N4914MP | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve |
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2N4915 | SEME-LAB | SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR |
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2N4915 | ISC | isc Silicon NPN Power Transistors |
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2N4915 | SAVANTIC | Silicon NPN Power Transistors |
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