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2N4298

更新时间: 2024-02-08 02:54:16
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CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管
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1页 68K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTOR

2N4298 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.89
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:350 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-66
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):20 W
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):20 MHz
最大关闭时间(toff):10000 ns最大开启时间(吨):7000 ns
VCEsat-Max:0.9 V

2N4298 数据手册

  
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  

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