是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.89 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 1 A |
集电极-发射极最大电压: | 350 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 20 | JEDEC-95代码: | TO-66 |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 20 W |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 20 MHz |
最大关闭时间(toff): | 10000 ns | 最大开启时间(吨): | 7000 ns |
VCEsat-Max: | 0.9 V |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N4298PBFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, |
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2N4299 | NJSEMI | SI NPN POWER BJT |
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2N4299 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
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2N4299 | CENTRAL | NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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2N4299TIN/LEAD | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, |
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2N4300 | SSDI | 2 AMP HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 100 VOLTS |
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