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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.85 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3054ATIN/LEAD | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), NPN, |
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| 2N3055 | ONSEMI | Complementary Silicon Power Transistors |
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| 2N3055 | JMNIC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N3055 | ISC | isc Silicon NPN Power Transistor |
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| 2N3055 | COMSET | POWER LINEAR AND SWITCHING APPLICATIONS |
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| 2N3055 | DCCOM | TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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