是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W6 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.7 | 最大集电极电流 (IC): | 0.5 A |
基于收集器的最大容量: | 15 pF | 集电极-发射极最大电压: | 60 V |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE): | 50 |
JEDEC-95代码: | TO-78 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W6 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 6 | 最高工作温度: | 200 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
功耗环境最大值: | 0.6 W | 最大功率耗散 (Abs): | 0.6 W |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 50 MHz |
VCEsat-Max: | 1.2 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N2223LEADFREE | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TO-78 |
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2N2224 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
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2N2226 | NJSEMI | NPN POWER, DARLINGTON TRANSISTORS |
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2N2226 | APITECH | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, T |
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2N2227 | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 40V 3-Pin TO-18 Box |
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2N2227 | APITECH | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, |
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