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2N1479

更新时间: 2024-02-19 20:32:04
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CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 91K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

2N1479 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.76
最大集电极电流 (IC):1.5 A基于收集器的最大容量:150 pF
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-39
JESD-30 代码:O-MBCY-W3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):5 W
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):1.5 MHz
VCEsat-Max:1.4 VBase Number Matches:1

2N1479 数据手册

  
TM  
Central  
Semiconductor Corp.  
145 Adams Avenue  
Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  
www.centralsemi.com  

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