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NESG250134-AZ

更新时间： 2024-02-21 02:03:41
品牌 Logo 应用领域
CEL 晶体晶体管输出元件ISM频段放大器
页数 文件大小 规格书
13页 709K
描述
NECs NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIVATION (800mW) 3-PIN OWER MINIMOLD (34 PACKAGE)

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NESG250134-AZ 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.14外壳连接：EMITTER
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：4.5 V
配置：SINGLE最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e6
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN BISMUTH
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON GERMANIUM标称过渡频率 (fT)：10000 MHz
Base Number Matches：1

NESG250134-AZ 数据手册

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NEC's NPN SiGe RF TRANSISTOR  
FOR MEDIUM OUTPUT POWER  
NESG250134  
AMPLIFICATION (800 mW)  
3-PIN POWER MINIMOLD (34 PACKAGE)  
FEATURES  
•
THIS PRODUCT IS SUITABLE FOR  
MEDIUM OUTPUT POWER (800 mW) AMPLIFICATION  
PO = 29 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, Pin = 15 dBm, f = 460 MHz  
PO = 29 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, Pin = 20 dBm, f = 900 MHz  
•
•
•
•
MAXIMUM STABLE GAIN:  
MSG= 23 dB TYP @ VCE = 3.6 V, IC = 100 mA, f = 460 MHz  
SiGe TECHNOLOGY:  
UHS2-HV process  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS:  
VCBO = 20 V  
3-PIN POWER MINIMOLD (34 PACKAGE)  
ORDERING INFORMATION  
PART NUMBER  
ORDER NUMBER  
PACKAGE  
QUANTITY  
SUPPLYING FORM  
NESG250134-AZ  
NESG250134-AZ  
3-pin power minimold 25 pcs (Non reel) • 12 mm wide embossed taping  
(Pb-Free) Note1  
NESG250134-T1-AZ NESG250134-T1-AZ  
1 kpcs/reel  
• Pin 2 (Emitter) face the perforation side of the tape  
Note 1. Contains lead in the part except the electrode terminals.  
Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.  
Unit sample quantity is 25 pcs.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA =+25ºC)  
PARAMETER  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
RATINGS  
UNIT  
V
20  
9.2  
V
2.8  
V
IC  
500  
mA  
W
Note  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Ptot  
1.5  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−65 to +150  
Note Mounted on 34.2 cm2 × 0.8 mm (t) glass epoxy PWB  
Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.  
California Eastern Laboratories  
1234567...13

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NESG250134-AZFB RENESAS UHF BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, POWER, MINIMOLD, 34, 3 PIN

获取价格
NESG250134-AZFB NEC RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic

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NESG250134-AZ-FB NEC RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic

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NESG250134FB NEC RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic

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NESG250134-FB NEC RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic

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