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CSC2712G - Continental Device India Limited

晶体晶体管局域网
型号:
CSC2712G
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产品描述:
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
应用标签:
晶体晶体管局域网
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品牌Logo:
品牌名称:
CDIL [ Continental Device India Limited ]

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是否Rohs认证
不符合
生命周期
Contact Manufacturer
IHS 制造商
CONTINENTAL DEVICE INDIA LTD
包装说明
,
Reach Compliance Code
compliant
风险等级
5.69
最大集电极电流 (IC)
0.15 A
配置
Single
最小直流电流增益 (hFE)
200
JESD-609代码
e0
最高工作温度
150 °C
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
0.15 W
子类别
Other Transistors
表面贴装
YES
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)
80 MHz
Base Number Matches
1
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下一页
Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
SOT-23 Formed SMD Package
IS/ISO 9002
Lic# QSC/L- 000019.2
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
CSC2712
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
N-P-N transistor
Marking
CSC2712Y=1E
CSC2712GR(G)=1F
CSC2712BL(L)=1G
PACKAGE OUTLINE DETAILS
ALL DIMENSIONS IN m
m
Pin configuration
1 = BASE
2 = EMITTER
3 = COLLECTOR
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Collector-base voltage (open emitter)
Collector-emitter voltage (open base)
Emitter-base voltage (open collector)
Collector current (peak value)
Total power dissipation at T
amb
= 25°C
Junction temperature
D.C. current gain
–I
C
= 2 mA; –V
CE
= 6V
Transition frequency
I
C
= 1 mA; V
CE
= 10 V
Noise figure at R
S
= 10 KW
I
C
= 0.1 mA; V
CE
= 6V;
f = 1 kHz
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
h
FE
max.
max.
max.
max.
max.
max.
min.
max.
min.
60
50
5
150
150
150
70
700
V
V
V
mA
mW
°C
f
T
80 MHz
F
max
10 dB
Continental Device India Limited
Data Sheet
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