BC450A

更新时间： 2024-01-22 04:28:38

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PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

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BC450A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.75
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
VCEsat-Max：	0.25 V	Base Number Matches：	1

BC450A 数据手册

IS/ISO 9002

Lic# QSC/L- 000019.2

Continental Device India Limited

An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

BC 446, A, B

BC 448, A, B

BC 450, A, B

TO-92

Plastic Package

General Purpose High Voltage Transistors.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25ºC unless specified otherwise)

DESCRIPTION

SYMBOL TEST CONDITION

MIN

TYP

MAX

UNITS

V_CEO

Collector Emitter Voltage

Collector Base Voltage

Emitter Base Voltage

100

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector Current Continuous

Total Device Dissipation@ Ta=25ºC

Derate Above 25ºC

300

P_D

625

mW/ ºC

1.5

P_D

Total Device Dissipation@ Tc=25ºC

Derate Above 25ºC

mW/ ºC

ºC

T_j, T_stg

-55 to +150

Operating And Storage Junction

Temperature Range

THERMAL RESISTANCE

R_th(j-a)

R_th(j-c)

200

Junction to ambient

Junction to case

ºC/W

83.3

Continental Device India Limited

Data Sheet

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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BC450ARL1	MOTOROLA	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	获取价格
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