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2N4403

更新时间： 2024-01-01 19:51:09

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CDIL		晶体晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
6页	154K
描述
NPN PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

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技术参数
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2N4403 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
基于收集器的最大容量：	8.5 pF	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	最大关闭时间（toff）：	255 ns
VCEsat-Max：	0.75 V	Base Number Matches：	1

2N4403 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS16949 and ISO 9001 Certified Company

TO-92 Plastic Package

2N4400, 2N4401

2N4402, 2N4403

2N4400, 4401 NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

2N4402, 4403 PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

General Purpose Switching Applications

DIM

MIN

MAX

5,33

5,20

4,19

0,55

0,50

4,32

4,45

3,18

0,41

0,35

5 DEG

1,14

1,40

1,53

–

1,14

12,70

1.982

2.082

ALL DIMENSIONS IN M.M.

2 3

1 = EMITTER

2 = BASE

3 = COLLECTOR

ABSOLUTE MAXIMM RATINGS

Rating

Symbol

2N4400/ 01

2N4402/ 03

Units

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

CEO

CBO

EBO

Collector Current Continuous

Power Dissipation At Ta=25 ºC

Derate Above 25 ºC

600

625

m A

5.0

mW/ ºC

Power Dissipation At Tc=25 ºC

Derate Above 25 ºC

1.5

mW/ ºC

ºC

Operating & Storage

T ,T

-55 to +150

stg

Junction Temperature Range

THERMAL RESISTANCE

Junction to Case

83.3

200

ºC/ W

th (j-c)

Junction to Ambient

th (j-a)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta =25 ºC unless otherwise specified)

Continental Device India Limited

Data Sheet

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