2N4401

更新时间： 2024-02-23 04:56:40

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6页	154K
描述
NPN PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

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2N4401 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.66	基于收集器的最大容量：	6.5 pF
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	255 ns	VCEsat-Max：	0.75 V
Base Number Matches：	1

2N4401 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS16949 and ISO 9001 Certified Company

TO-92 Plastic Package

2N4400, 2N4401

2N4402, 2N4403

2N4400, 4401 NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

2N4402, 4403 PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

General Purpose Switching Applications

DIM

MIN

MAX

5,33

5,20

4,19

0,55

0,50

4,32

4,45

3,18

0,41

0,35

5 DEG

1,14

1,40

1,53

–

1,14

12,70

1.982

2.082

ALL DIMENSIONS IN M.M.

2 3

1 = EMITTER

2 = BASE

3 = COLLECTOR

ABSOLUTE MAXIMM RATINGS

Rating

Symbol

2N4400/ 01

2N4402/ 03

Units

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

CEO

CBO

EBO

Collector Current Continuous

Power Dissipation At Ta=25 ºC

Derate Above 25 ºC

600

625

m A

5.0

mW/ ºC

Power Dissipation At Tc=25 ºC

Derate Above 25 ºC

1.5

mW/ ºC

ºC

Operating & Storage

T ,T

-55 to +150

stg

Junction Temperature Range

THERMAL RESISTANCE

Junction to Case

83.3

200

ºC/ W

th (j-c)

Junction to Ambient

th (j-a)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta =25 ºC unless otherwise specified)

Continental Device India Limited

Data Sheet

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