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3N172

更新时间： 2024-01-20 00:24:41
品牌 Logo 应用领域
CALOGIC 晶体二极管开关放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 37K
描述
Diode Protected P-Channel Enhancement Mode MOSFET General Purpose Amplifier/Switch

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3N172 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.37
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.05 A
最大漏源导通电阻：250 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：1 pFJEDEC-95代码：TO-72
JESD-30 代码：O-MBCY-W4元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.375 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

3N172 数据手册

 浏览型号3N172的Datasheet PDF文件第2页 
Diode Protected P-Channel  
Enhancement Mode MOSFET  
General Purpose Amplifier/Switch  
CORPORATION  
3N172 / 3N173  
FEATURES  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
(TA = 25oC unless otherwise specified)  
High Input Impedance  
Diode Protected Gate  
•
Drain-Source or Drain-Gate Voltage  
•
3N172. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V  
3N173. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA  
Gate Forward Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10µA  
Gate Reverse Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1mA  
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65oC to +200oC  
Operating Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . -55oC to +150oC  
Lead Temperature (Soldering, 10sec) . . . . . . . . . . . . . +300oC  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 375mW  
Derate above 25oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.0mW/oC  
PIN CONFIGURATION  
TO-72  
NOTE: Stresses above those listed under "Absolute Maximum  
Ratings" may cause permanent damage to the device. These are  
stress ratings only and functional operation of the device at these or  
any other conditions above those indicated in the operational sections  
of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum  
rating conditions for extended periods may affect device reliability.  
S
C,B  
D
G
1503Z  
ORDERING INFORMATION  
DEVICE SCHEMATIC  
Part  
Package  
Temperature Range  
1
3N172-73  
X3N172-73 Sorted Chips in Carriers  
Hermetic TO-72  
-55oC to +150oC  
-55oC to +150oC  
2
3
4
0200  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25oC and VBS = 0 unless otherwise specified)  
3N172  
3N173  
MAX  
SYMBOL  
PARAMETER  
UNITS  
TEST CONDITIONS  
VGS = -20V  
MIN  
MAX  
MIN  
-200  
-0.5  
-500  
-1.0  
pA  
IGSS  
Gate Reverse Current  
TA = +125oC  
µA  
BVGSS  
BVDSS  
BVSDS  
Gate Breakdown Voltage  
-40  
-40  
-125  
-30  
-30  
-125  
ID = -10µA  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Source-Drain Breakdown Voltage  
ID = -10µA  
IS = -10µA, VDB = 0  
-40  
-30  
V
-2.0  
-2.0  
-3.0  
-5.0  
-5.0  
-6.5  
-0.4  
-0.4  
250  
-30  
-2.0  
-2.0  
-2.5  
-5.0  
-5.0  
-6.5  
-10  
-10  
350  
-30  
VDS = VGS, ID = -10µA  
VGS(th)  
Threshold Voltage  
VDS = -15V, ID = -10µA  
VDS = -15V, ID = -500µA  
VDS = -15V, VGS = 0  
VGS  
Gate Source Voltage  
IDSS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Zero Gate Voltage Source Current  
Drain Source On Resistance  
On Drain Current  
nA  
ISDS  
VSD = -15V, VDB = 0, VGD = 0  
VGS = -20V, ID = -100µA  
VDS = -15V, VGS = -10V  
rDS(on)  
ID(on)  
ohms  
mA  
-5.0  
-5.0  
12

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