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3N165

更新时间： 2024-01-30 18:23:03

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描述
Monolithic Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET General Purpose Amplifier

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3N165 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.66
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.05 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

3N165 数据手册

Monolithic Dual P-Channel

Enhancement Mode MOSFET

General Purpose Amplifier

CORPORATION

3N165 / 3N166

FEATURES

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Note 1)

(T_A= 25^oC unless otherwise specified)

Very High Impedance

High Gate Breakdown

Low Capacitance

•

Drain-Source or Drain-Gate Voltage (Note 2)

•

3N165. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V

3N166. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

Transient Gate-Source Voltage (Note 3) . . . . . . . . . . . . . ±125

Gate-Gate Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±80V

Drain Current (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA

Storage Temperature. . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65^oC to +200^oC

Operating Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . -55^oC to +150^oC

Lead Temperature (Soldering, 10sec) . . . . . . . . . . . . . +300^oC

Power Dissipation

PIN CONFIGURATION

BOTTOM VIEW

TO-99

D₂

G₂

D₁

G₁

One Side . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW

Both Sides . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 525mW

Total Derating above 25^oC. . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2mW/^oC

NOTE: Stresses above those listed under "Absolute Maximum

Ratings" may cause permanent damage to the device. These are

stress ratings only and functional operation of the device at these or

any other conditions above those indicated in the operational sections

of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum

rating conditions for extended periods may affect device reliability.

0180

2506

ORDERING INFORMATION

DEVICE SCHEMATIC

Part

Package

Temperature Range

-55^oC to +150^oC

3N165-66

X3N165-66 Sorted Chips in Carriers

Hermetic TO-99

-55^oC to +150^oC

0190

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25^oC and V_BS= 0 unless otherwise specified)

SYMBOL

PARAMETER

MIN

MAX

UNITS

TEST CONDITIONS

I_GSSR

Gate Reverse Leakage Current

V_GS= 40V

_GS= -40V

-10

-25

-200

-400

-30

-5

I_GSSF

Gate Forward Leakage Current

T_A= +125^oC

I_DSS

Drain to Source Leakage Current

Source to Drain Leakage Current

On Drain Current

V_DS= -20V

I_SDS

V_SD= -20V, V_DB= 0

V_DS= -15V, V_GS= -10V

V_DS= -15V, I_D= -10µA

V_DS= V_GS, I_D= -10µA

I_D(on)

-5

-2

V_GS(th)

r_DS(on)

Gate Source Threshold Voltage

Drain Source ON Resistance

-5

V_GS= -20V, I_D= -100µA

300

ohms

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
3N165_TO-78	MICROSS	a monolithic dual enhancement mode P-Channel Mosfet	获取价格
3N165-6	Linear Systems	MONOLITHIC DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
3N165-TO-99-6L-ROHS	Linear	Transistor,	获取价格
3N166	INTERSIL	N-CHANNEL JFET	获取价格
3N166	MICROSS	a monolithic dual enhancement mode P-Channel Mosfet	获取价格
3N166	CALOGIC	Monolithic Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET General Purpose Amplifier	获取价格

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